U usporedbi s bipolarnim tranzistorima (BJT), tranzistori s-efektom polja (FET) imaju sljedeće karakteristike:
(1) FET-ovi su uređaji-kontrolirani naponom, koji kontroliraju struju odvoda (ID) preko VGS (napon-izvora vrata);
(2) Upravljačka ulazna struja FET-a iznimno je mala, što rezultira vrlo visokim ulaznim otporom (10⁷–10¹² Ω);
(3) FET-ovi koriste većinske nosioce za provođenje, čime pokazuju bolju temperaturnu stabilnost;
(4) Faktor pojačanja napona kruga pojačala sastavljenog od FET-a je manji od faktora kruga pojačala sastavljenog od bipolarnih tranzistora;
(5) FET-ovi imaju jaku otpornost na zračenje;
(6) FET-ovi imaju nizak šum jer ne pokazuju udarni šum uzrokovan difuzijom zalutalih elektrona.
